Skema Lampu Flip-Flop

sekema rangkaian lampu berjalan

SKEMA RANGKAIAN LAMPU LED BERJALAN

Components list:
R1_____________10K 1/4W Resistor
R2,R3__________47K 1/4W Resistors
R4______________1K 1/4W Resistor
R5,R6,R7______100K 1/4W Resistors
R8____________820R 1/4W Resistor

C1,C3_________100nF 63V Ceramic or Polyester Capacitors
C2_____________10΅F 50V Electrolytic Capacitor
C4____________330nF 63V Polyester Capacitor (See Notes)
C5____________100΅F 25V Electrolytic Capacitor

D1___________1N4148 75V 150mA Diode
D2-D11_________5 or 3mm. LEDs (any type and color)

IC1___________LM358 Low Power Dual Op-amp
IC2____________4017 Decade counter with 10 decoded outputs IC

M1_____________Miniature electret microphone
SW1____________SPST miniature Slider Switch
B1_______________9V PP3 Battery
Clip for PP3 Battery

Additional circuit parts (see Notes):

R9,R10_________10K 1/4W Resistors
R11____________56R 1/4W Resistor
D12,D13 etc.____5 or 3mm. LEDs (any type and color)
Q1,Q2_________BC327 45V 800mA PNP Transistors
Q3____________BC337 45V 800mA NPN Transistor

Rangkaian Dioda | Penyearah setengah gelombang

Rangkaian Dioda | Penyearah setengah gelombang

Dioda adalah komponen elektronika berbahan semikonduktor (germanium, silikon) yang mempunyai karakteristik hanya dapat melewatkan arus forward saja dan menahan arus reverse atau sebagai penyearah yang dapat merubah arus bolak – balik mejadi arus searah.

Berikut akan dijelaskan salah satu aplikasi dari fungsi dioda yang dapat kita manfaatkan, yaitu sebagai penyearah setengah gelombang, seperti gambar berikut:

Pada gambar diatas sumber AC(Alterbating Current) atau sumber tegangan bolak balik disearahkan dengan menggunakan dioda, arus hanya dapat mengalir satu arah dibagian katoda sedangkan arus yang lewat di bagian anoda ditahan. perhatikan gelombang yang dihailkan gelombang negatif yang dihilangkan oleh dioda yang hanya melewatkan gelombang positif.

Untuk memperhalus tegangan keluaran, pada rangkaian dapat ditambahkan dengan kapasitor, seperti gambar dibawah ini

Semoga bermanfaat

Transisitor merupakan pralatan yg mempunyai 3 lapis N-P-N atau P-N-P dalam tentang oprasi arus kolektor IC yang di perkuat pada arus kolektor untuk tegangan emitor-kolektor vce yang di berikan perbandingan ke dua arus ini dalam orde 15-100.
pada umumnya transistor berpungsi sebagai suatu switing ( kontak on-off ) adalah kerja transistor yang berfungsi sebagai swicthing ini ,selalu berada pada daerah jenuh (satuan)dan daerah cut off pada transistor dapat bekerja pada daerah jenuh dan daerah cut aff nya,dengan cara melakukan pengaturan tegangan Vb dan rangkaian pada basis nya (tahanan Rb ) dan juga tahan besarnya (Ri) tentu,dapt di lakukan dengan memberikan tegangan us yg berupa pulsa tiger dan teganggan output Nce apabila Vb= 0 ,maka transistor off(cut off) sedangkan apabila Vb= V1 dan dengan mengatur Rb dan Rc
sedemikian rupa ,sehingga menghasilkan arus Ib yang akan menyebabkan transistor dalam keadaan jenuh .pada keadaan ini Vce adalah kira-kira sama dmgan nol ( V sat=0,2 volt )

RANGKUMAN

- Dioda semi konduktor dapat diberi bias maja ( forword bias )atur bias mundur ( reversa bias ) untuk  mendapatkan karak teristik tertentu.

- transistor memiliki 3 lapisan non atau PNP dengan tiga terminal yaitu emitor,kolktor dan bias

Hambatan jenis dan hambatan Listrik

Hambatan jenis dan hambatan Listrik

r = E/J                                R = r L/A

r = hambatan jenis (ohm.m)
E = medan listrik
J = rapat arus
R = hambatan (ohm)
L = panjang konduktor (m)

HUBUNGAN HAMBATAN JENIS DAN HAMBATAN DENGAN SUHU

rt = ro(1 + a Dt)

Rt = Ro(1 + a Dt)

rt, Rt = hambatan jenis dan hambatan pada t°C
ro, Ro = hambatan jenis dan hambatan awal
a = konstanta bahan konduktor ( °C-1 )
Dt = selisih suhu (°C )

Hukum Ohm menyatakan bahwa besar arus yang mengalir pada suatu konduktor pada suhu tetap sebanding dengan beda potensial antara kedua ujung-ujung konduktor

I = V / R

HUKUM OHM UNTUK RANGKAIAN TERTUTUP

I =     n E           R + n rd	I =      n          R + rd/p

n = banyak elemen yang disusun seri
E = ggl (volt)
rd = hambatan dalam elemen
R = hambatan luar
p = banyaknya elemen yang disusun paralel

RANGKAIAN HAMBATAN DISUSUN SERI DAN PARALEL

SERI R = R1 + R2 + R3 + ... V = V1 + V2 + V3 + ... I = I1 = I2 = I3 = ...

PARALEL 1 = 1 + 1 + 1 R    R1  R2   R3 V = V1 = V2 = V3 = ... I = I1 + I2 + I3 + ...

ENERGI DAN DAYA LISTRIK
ENERGI LISTRIK (W)
adalah energi yang dipakai (terserap) oleh hambatan R.

W = V I t = V²t/R = I²Rt

Joule = Watt.detik
KWH = Kilo.Watt.jam
DAYA LISTRIK (P) adalah energi listrik yang terpakai setiap detik.

P = W/t = V I = V²/R = I²R

HUKUM KIRCHOFF I : jumlah arus menuju suatu titik cabang sama dengan jumlah arus yang meninggalkannya.

S Iin = Iout

HUKUM KIRCHOFF II : dalam rangkaian tertutup, jumlah aljabar GGL (e) dan jumlah penurunan potensial sama dengan nol.

Se = S IR = 0

ALAT UKUR LISTRIK TERDIRI DARI

1. JEMBATAN WHEATSTONE	digunakan untuk mengukur nilai suatu hambatan dengan cara mengusahakan arus yang mengalir pada galvanometer = nol (karena potensial di ujung-ujung galvanometer sama besar). Jadi berlaku rumus perkalian silang hambatan : R1 R3 = R2 Rx
2. AMPERMETER	untuk memperbesar batas ukur ampermeter dapat digunakan hambatan Shunt (Rs) yang dipasang sejajar/paralel pada suatu rangkaian. Rs = rd 1/(n-1) n = pembesaran pengukuran
3. VOLTMETER	untuk memperbesar batas ukur voltmeter dapat digunakan hambatan multiplier (R-) yang dipasang seri pada suatu rangkaian. Dalam hal ini R. harus dipasang di depan voltmeter dipandang dari datangnya arus listrik. Rm = (n-1) rd n = pembesaran pengukuran

TEGANGAN JEPIT (V.b) :
adalah beda potensial antara kutub-kutub sumber atau antara dua titik yang diukur.

1. Bila batere mengalirkan arus maka tegangan jepitnya adalah:

Vab = e - I rd

2. Bila batere menerima arus maka tegangan jepitnya adalah:

Vab = e + I rd

3. Bila batere tidak mengalirkan atau tidak menerima arus maka
    tegangan jepitnya adalah .

Vab = e

Dalam menyelesaian soal rangkaian listrik, perlu diperhatikan :

1. Hambatan R yang dialiri arus listrik. Hambatan R diabaikan jika tidak
    dilalui arus listrik.

2. Hambatan R umumnya tetap, sehingga lebih cepat menggunakan
    rumus yang berhubungan dengan hambatan R tersebut.

3. Rumus yang sering digunakan: hukum Ohm, hukum Kirchoff, sifat
    rangkaian, energi dan daya listrik.

Contoh 1 :
Untuk rangkaian seperti pada gambar, bila saklar S1 dan S2 ditutup maka hitunglah penunjukkan jarum voltmeter !
Jawab :
Karena saklar S1 dan S2 ditutup maka R1, R2, dan R3 dilalui arus listrik, sehingga :

1    =  1  +  1  Rp       R2    R3 Rp = R2 R3 = 2W       R2 + R1 V = I R = I (R1 + Rp) I = 24/(3+2) = 4.8 A

Voltmeter mengukur tegangan di R2 di R3, dan di gabungkan R2 // R3, jadi :
V = I2 R2 = I3 R3 = I Rp
V = I Rp = 0,8 V
Contoh 2:
Pada lampu A dan B masing-masing tertulis 100 watt, 100 volt. Mula-mula lampu A den B dihubungkan seri dan dipasang pada tegangan 100 volt, kemudian kedua lampu dihubungkan paralel dan dipasang pada tegangan 100 volt. Tentukan perbandingan daya yang dipakai pada hubungan paralel terhadap seri !

Hambatan lampu dapat dihitung dari data yang tertulis dilampu : RA = RB = V²/P = 100²/100 = 100 W Untuk lampu seri : RS = RA + RB = 200 W Untuk lampu paralel : Rp = RA × RB = 50 W                                     RA + RB

Karena tegangan yang terpasang pada masing-masing rangkaian sama maka gunakan rumus : P = V²/R

Jadi perbandingan daya paralel terhadap seri adalah :
Pp = V² : V² = Rs = 4
Ps    Rp    Rs    Rp    1
Contoh 3:
Dua buah batere ujung-ujungnya yang sejenis dihubungkan, sehingga membentuik hubungan paralel. Masing-masing batere memiliki GGL 1,5 V; 0,3 ohm dan 1 V; 0,3 ohm.Hitunglah tegangan bersama kedua batere tersebut !
Jawab :
Tentakan arah loop dan arah arus listrik (lihat gambar), dan terapkan hukum Kirchoff II,

Se + S I R = 0 e1 + e2 = I (r1 + r2) I = (1,5 - 1) = 5  A     0,3 + 0,3    6

Tegangan bersama kedua batere adalah tegangan jepit a - b, jadi :

Vab = e1 - I r1 = 1,5 - 0,3 5/6 = 1,25 V

1= e2 + I R2 = 1 + 0,3 5/6 = 1,25 V

Contoh 4:
Sebuah sumber dengan ggl = E den hambatan dalam r dihubungkan ke sebuah potensiometer yang hambatannya R. Buktikan bahwa daya disipasi pada potensiometer mencapai maksimum jika R = r.
Jawab :

Dari Hukum Ohm : I = V/R =       e                                          R+r Daya disipasi pada R : P = I²R =        e  ²R                                              (R+r)²

Agar P maks maka turunan pertama dari P harus nol: dP/dR = 0 (diferensial parsial)

Jadi e² (R+r)² - E² R.2(R+r) = 0
               (R+r)4
e² (R+r)² = e² 2R (R+r) Þ R + r = 2R
                                        R = r (terbukti)


ARUS/TEGANGAN BOLAK-BALIK
Arus/tegangan bolak-balik adalah arus/tegangan yang besarnya selalu berubah-ubah secara periodik.  Simbol tegangan bolak-balik adalah ~ dan dapat diukur dengan Osiloskop (mengukur tegangan maksimumnya).

NILAI EFEKTIF KUAT ARUS/TEGANGAN AC
Nilai efektif kuat arus/tegangan AC adalah arus/tegangan AC yang dianggap setara dengan kuat arus/tegangan AC yang menghasilkan jumlah kalor yang sama ketika melalui suatu penghantar dalam waktu yang sama.
Kuat arus efektif :          Ief = Imaks / Ö2

Tegangan efektif :         Vef = Vmaks / Ö2
Besaran yang ditunjukkan oleh voltmeter/amperemeter DC adalah tegangan/kuat arus DC yang sesungguhnya,sedangkan yang ditunjukan oleh voltmeter/amperemeter AC adalah tegangan/kuat arus efektif, bukan tegangan/kuat arus sesungguhnya.

Generator adalah alat yang dapat menimbulkan sumber tegangan. Tegangan Bolak-Balik (V) yang ditimbulkan oleh generator : V = Vm sin wt w = 2pf = frekuensi anguler Arus Bolak-Balik (I) yang mengalir adalah : I = V/R = Vm/R sin wt I = Im sin wt Vm = tegangan maksimum

  Reaktansi Induktff : hambatan induktor pada rangkaian arus
bolak-balik.

XL = w > L = 2pf.L
• Tegangan dan Arus pada Induktor : V = Vm sin wt I  = Im sin(wt-90°)
Jadi beda fase dalam rangkaian induktif 90° (arus ketinggalan 90° dari tegangan)

semikonduktor

Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di antara insulator dan konduktor. Semikonduktor disebut juga sebagai bahan setengah penghantar listrik. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai insulator pada temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan besifat sebagai konduktor. Bahan semikonduksi yang sering digunakan adalah silikon, germanium, dan gallium arsenide.
Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena konduktansinya yang dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut pendonor elektron).
Untuk informasi bagaimana semikonduktor digunakan sebagai alat elektronik, lihat alat semikonduktor.

Doping Semikonduktor

Distribusi Fermi-Dirac sebagai dasar struktur pita dalam semikonduktor

Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah sifat elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara terkontrol dengan menambah sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini disebut dopan.
Doping sejumlah besar ke semikonduktor dapat meningkatkan konduktivitasnya dengan faktor lebih besar dari satu milyar.^[rujukan?] Dalam sirkuit terpadu modern, misalnya, polycrystalline silicon didop-berat seringkali digunakan sebagai pengganti logam.

Persiapan bahan semikonduktor

Semikonduktor dengan properti elektronik yang dapat diprediksi dan handal diperlukan untuk produksi massa. Tingkat kemurnian kimia yang diperlukan sangat tinggi karena adanya ketidaksempurnaan, bahkan dalam proporsi sangat kecil dapat memiliki efek besar pada properti dari material. Kristal dengan tingkat kesempurnaan yang tinggi juga diperlukan, karena kesalahan dalam struktur kristal (seperti dislokasi, kembaran, dan retak tumpukan) mengganggu properti semikonduktivitas dari material. Retakan kristal merupakan penyebab utama rusaknya perangkat semikonduktor. Semakin besar kristal, semakin sulit mencapai kesempurnaan yang diperlukan. Proses produksi massa saat ini menggunakan ingot (bahan dasar) kristal dengan diameter antara empat hingga dua belas inci (300 mm) yang ditumbuhkan sebagai silinder kemudian diiris menjadi wafer.
Karena diperlukannya tingkat kemurnian kimia dan kesempurnaan struktur kristal untuk membuat perangkat semikonduktor, metode khusus telah dikembangkan untuk memproduksi bahan semikonduktor awal. Sebuah teknik untuk mencapai kemurnian tinggi termasuk pertumbuhan kristal menggunakan proses Czochralski. Langkah tambahan yang dapat digunakan untuk lebih meningkatkan kemurnian dikenal sebagai perbaikan zona. Dalam perbaikan zona, sebagian dari kristal padat dicairkan. Impuritas cenderung berkonsentrasi di daerah yang dicairkan, sedangkan material yang diinginkan mengkristal kembali sehingga menghasilkan bahan lebih murni dan kristal dengan lebih sedikit kesalahan.

konduktor

Bahan-bahan penghantar adalah bahan yang memiliki banyak elektron bebas pada kulit terluar orbit. Elektron bebas ini akan sangat berpengaruh pada sifat bahan tersebut. Jika suatu bahan listrik memiliki banyak elektron bebas pada orbit-orbit elektron, bahan ini memiliki sifat sebagai penghantar listrik.

Sifat Bahan Konduktor

Bahan penghantar memiliki sifat-sifat penting, yaitu:

a) Daya Hantar Listrik

Arus yang mengalir dalam suatu penghantar selalu mengalami hambatan dari penghantar itu sendiri. Besar hambatan tersebut tergantung dari bahannya. Besar hambatan tiap meternya dengan luas penampang 1mm2 pada temperatur200C dinamakan hambatan jenis. Besarnya hambatan jenis suatu bahan dapat dihitung dengan menggunakan persamaan :

R= ρl/A

dimana :
R : Hambatan dalam penghantar, satuanya ohm (Ω)
ρ : hambatan jenis bahan, dalam satuan ohm.mm2/m
l : panjang penghantar, satuannya meter (m)
A : luas penampang kawat penghantar, satuanya mm2

b) Koefisien Temperatur Hambatan
Telah kita ketahui bahwa dalam suatu bahan akan mengalami perubahan volume bila terjadi perubahan temperatur. Bahan akan memuai jika temperatur suhu naik dan akan menyusut jika temperatur suhu turun. Besarnya perubahan hambatan akibat perubahan suhu dapat diketahui dengan persamaan ;
R = R0 { 1 + α (t – t0)}, dimana :
R : besar hambatan setelah terjadinya perubahan suhu
R0 : besar hambatan awal, sebelum terjadinya perubahan suhu.
T : temperatur suhu akhir, dalam 0C
t0 : temperatur suhu awal, dalam 0C
α : koefisien temperatur tahanan

c) Daya Hantar Panas
Daya hantar panas menunjukkan jumlah panas yang melalui lapisan bahan tiap satuan waktu. Diperhitungkan dalam satuan Kkal/jam 0C. Terutama diperhitungkan dalam pemakaian mesin listrik beserta perlengkapanya. Pada umumnya logam mempunyai daya hantar panas yang tinggi.

d) Daya Tegangan Tarik
Sifat mekanis bahan sangat penting, terutama untuk hantaran diatas tanah. Oleh sebab itu, bahan yang dipakai untuk keperluan tersebut harus diketahui kekuatanya. Terutama menyangkut penggunaan dalam pendistribusian tegangan tinggi.

e) Timbulnya daya Elektro-motoris Termo
Sifat ini sangat penting sekali terhadap dua titik kontak yang terbuat dari dua bahan logam yang berlainan jenis, karena dalam suatu rangkaian, arus akan menimbulkan daya elektro-motoris termo tersendiri bila terjadi perubahan temperatur suhu.

Daya elektro-motoris termo dapat terjadi lebih tinggi, sehingga dalam pengaturan arus dan tegangan dapat menyimpang meskipun sangat kecil. Besarnya perbedaan tegangan yang dibangkitkan tergantung pada sifat-sifat kedua bahan yang digunakan dan sebanding dengan perbedaan temperaturnya. Daya elektro-motoris yang dibangkitkan oleh perbedaan temperatur disebut dengan daya elektro-motoris termo.

isolator

Isolator adalah benda yang tidak dapat menghantarkan arus listrik, contohnya adalah karet plastik dan kayu.

Bahan konduktor adalah bahan yang dapat menghantarkan listrik, contohnya logam.

Bahan semikonduktor adalah bahan yang memiliki sifat seperti isolator dan seperti konduktor. Biasanya bahan tersebut bersifat isolatro pada suhu rendah dan berifat konduktor pada suhu di atas suhu ruang (300 K). Contoh bahan ini adalah Germanium dan silikon.

Bahan Superkonduktor adalah bahan yang dalam kondisi tertentu dapat menghantarkan listrik tanpa hambatan listrik. Untuk saat ini bahan superkonduktor masih bekerja pada suhu yang relatif rendah sekitar 90 Kelvin. Contoh bahan superkonduktor adalah Yttrium barium copper oxide (YBa2Cu3O7).

mengapa sebuah bahan dapat bersifat listrik yang berbeda-beda, hal itu dapat dijelaskan dengan teori pita energi bahan yang terkait dengan elektron dsb.

Dioda Zener adalah diode yang memiliki karakteristik menyalurkan arus listrik mengalir ke arah yang berlawanan jika tegangan yang diberikan melampaui batas "tegangan tembus" (breakdown voltage) atau "tegangan Zener". Ini berlainan dari diode biasa yang hanya menyalurkan arus listrik ke satu arah.
Dioda yang biasa tidak akan mengalirkan arus listrik untuk mengalir secara berlawanan jika dicatu-balik (reverse-biased) di bawah tegangan rusaknya. Jika melampaui batas tegangan operasional, diode biasa akan menjadi rusak karena kelebihan arus listrik yang menyebabkan panas. Namun proses ini adalah reversibel jika dilakukan dalam batas kemampuan. Dalam kasus pencatuan-maju (sesuai dengan arah gambar panah), diode ini akan memberikan tegangan jatuh (drop voltage) sekitar 0.6 Volt yang biasa untuk diode silikon. Tegangan jatuh ini tergantung dari jenis diode yang dipakai.
Sebuah diode Zener memiliki sifat yang hampir sama dengan diode biasa, kecuali bahwa alat ini sengaja dibuat dengan tegangan tembus yang jauh dikurangi, disebut tegangan Zener. Sebuah diode Zener memiliki p-n junction yang memiliki doping berat, yang memungkinkan elektron untuk tembus (tunnel) dari pita valensi material tipe-p ke dalam pita konduksi material tipe-n. Sebuah diode Zener yang dicatu-balik akan menunjukan perilaku tegangan tembus yang terkontrol dan akan melewatkan arus listrik untuk menjaga tegangan jatuh supaya tetap pada tegangan Zener. Sebagai contoh, sebuah diode Zener 3.2 Volt akan menunjukan tegangan jatuh pada 3.2 Volt jika diberi catu-balik. Namun, karena arusnya terbatasi, sehingga diode Zener biasanya digunakan untuk membangkitkan tegangan referensi, untuk menstabilisasi tegangan aplikasi-aplikasi arus kecil, untuk melewatkan arus besar diperlukan rangkaian pendukung IC atau beberapa transistor sebagai output.
Tegangan tembusnya dapat dikontrol secara tepat dalam proses doping. Toleransi dalam 0.05% bisa dicapai walaupun toleransi yang paling biasa adalah 5% dan 10%.
Efek ini ditemukan oleh seorang fisikawan Amerika, Clarence Melvin Zener.
Mekanisme lainnya yang menghasilkan efek yang sama adalah efek avalanche, seperti di dalam diode avalanche. Kedua tipe diode ini sebenarnya dibentuk melalui proses yang sama dan kedua efek sebenarnya terjadi di kedua tipe diode ini. Dalam diode silikon, sampai dengan 5.6 Volt, efek Zener adalah efek utama dan efek ini menunjukan koefisiensi temperatur yang negatif. Di atas 5.6 Volt, efek avalanche menjadi efek utama dan juga menunjukan sifat koefisien temperatur positif.
Dalam diode Zener 5.6 Volt, kedua efek tersebut muncul bersamaan dan kedua koefisien temperatur membatalkan satu sama lainnya. Sehingga, diode 5.6 Volt menjadi pilihan utama di aplikasi temperatur yang sensitif.
Teknik-teknik manufaktur yang modern telah memungkinkan untuk membuat diode-diode yang memiliki tegangan jauh lebih rendah dari 5.6 Volt dengan koefisien temperatur yang sangat kecil. Namun dengan munculnya pemakai tegangan tinggi, koefisien temperatur muncul dengan singkat pula. Sebuah diode untuk 75 Volt memiliki koefisien panas yang 10 kali lipatnya koefisien sebuah diode 12 Volt.
Semua diode di pasaran dijual dengan tanda tulisan atau kode voltase operasinya ditulis dipermukaan kristal diode , biasanya dijual dinamakan diode Zener.

Pemakaian

Dioda Zener digunakan secara luas dalam sirkuit elektronik. Fungsi utamanya adalah untuk menstabilkan tegangan. Pada saat disambungkan secara parallel dengan sebuah sumber tegangan yang berubah-ubah yang dipasang sehingga mencatu-balik, sebuah diode Zener akan bertingkah seperti sebuah kortsleting (hubungan singkat) saat tegangan mencapai tegangan tembus diode tersebut. Hasilnya, tegangan akan dibatasi sampai ke sebuah angka yang telah ditetapkan sebelumnya.

Sejarah Transistor

Sejarah Transistor

20:50  Ferrovia  

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.

inilah penemu transistor pertama

Walter Houser Brattain adalah fisikawan Amerika Serikat yang menerima Hadiah Nobel Fisika 1956 untuk penemuan transistor bersama John Bardeen dan William Shockley. Walter H. Brattain lahir di Amoy, Cina, pada tanggal 10 Februari 1902, putra R. Ross Brattain dan Ottilie tag. Ia menghabiskan masa kecil dan remaja di Negara Bagian Washington dan menerima gelar BS Gelar dari Whitman College pada tahun 1924. Ia dianugerahi gelar MA oleh University of Oregon pada tahun 1926 dan Ph.D. gelar oleh University of Minnesota pada tahun 1929.

Dr Brattain telah menjadi anggota staf teknis Bell Laboratories sejak 1929. Kepala Bidang penelitiannya telah sifat permukaan benda padat. kerja awal adalah berhubungan dengan emisi termionik dan lapisan teradsorpsi pada tungsten. Dia terus ke bidang-foto rektifikasi dan efek pada permukaan semikonduktor, yang dimulai dengan studi pembetulan pada permukaan oksida cuprous. Karya ini diikuti oleh penelitian serupa silikon. Sejak Perang Dunia II ia terus dalam baris yang sama penelitian dengan kedua silikon dan germanium.

Kontribusi kepala Dr Brattain untuk fisika keadaan padat telah penemuan efek-foto di permukaan bebas dari semikonduktor, penemuan transistor titik kontak bersama-sama dengan Dr John Bardeen, dan bekerja menuju pemahaman yang lebih baik dari sifat permukaan semikonduktor, dilakukan pertama dengan Dr Bardeen, kemudian dengan Dr CGB Garrett, dan saat ini dengan Dr P. J. Boddy.

Dr Brattain menerima kehormatan Doctor of Science dari Portland University pada tahun 1952, dari Whitman College dan Union College pada tahun 1955, dan dari University of Minnesota pada tahun 1957. Pada tahun 1952 ia dianugerahi Stuart Ballantine Medal dari Institut Franklin, dan pada tahun 1955 John Scott Medal. Tingkat di Union College dan dua medali diterima bersama-sama dengan Dr John Bardeen, sebagai pengakuan atas pekerjaan mereka pada transistor.

Dr Brattain adalah anggota National Academy of Sciences dan Institut Franklin, sebuah Fellow dari American Physical Society, American Academy of Arts and Sciences, dan Asosiasi Amerika untuk Kemajuan Ilmu. Ia juga anggota komisi tentang semikonduktor Uni Internasional Fisika Murni dan Terapan, dan dari Naval Research Komite Penasihat.

Pada tahun 1935 ia menikah dengan Dr Keren akhir (Gilmore) Brattain, mereka punya seorang putra, William Gilmore Brattain. Pada tahun 1958 ia menikahi Mrs Emma Jane (Kirsch) Miller. Dr Brattain tinggal di Summit, New Jersey, dekat Murray Hill (NJ) laboratorium Bell Laboratories Telepon. Walter H. Brattain meninggal pada tanggal 13 Oktober 1987. 

inilah transistor pertama di dunia

 
 
PERTANYAAN : Jadi sewaktu belum ada transistor orang-orang menggunakan apa dong..??

JAWABAN : Sebelum ada transistor yang ada adalah vacuum tubes seperti gambar di bawah ini. Bahkan komputer pertama pun dibuat dengan menggunakan komponen seperti ini.